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埃赋隆半导体参加EDI CON 2018大会
作者:hjq 来源: 阅读次数:2268次 发布日期:2018年3月08日

北京国家会议中心630号展台 - 3月20日至22日

埃赋隆半导体(Ampleon)今天宣布其参加3月20日至3月22日在中国北京举行的电子设计创新大会(EDI CON)的详细信息。埃赋隆半导体所在的630号展台,位于中国国家会议中心的4楼,将会布置一系列的热门产品和演示。其中包括面向粒子加速器、Doherty广播发射机和无线基站的解决方案。该公司还将展示基于LDMOS的产品,包括面向FM广播应用的大功率器件、面向激光和等离子体生成的极其坚固耐用的解决方案,以及面向航空电子和雷达系统的器件。此外,面向射频能量应用的器件和pallet也将在展台上展示。

除展台展品外,埃赋隆半导体的多名员工也将参与该活动的会议日程。埃赋隆半导体射频建模工程师Amit Dixit将于3月20日(星期二)下午12点55分在406室发表一篇关于“面向射频功率放大器设计实现的精确GaN建模(Accurate GaN modelling for RF power amplifier design enablement)”的论文。

埃赋隆半导体开发与应用高级总监Coen Centen先生将于3月22日(星期四)上午9点在405室,参加主题为“进军工业市场(Inroads to the Industrial Market)”的射频能源联盟(RF Energy Alliance)专题研讨会。埃赋隆半导体是射频能源联盟的创始成员之一,在推广高能效、紧凑和极其可靠的固态射频功率解决方案方面发挥了领导作用。

3月22日下午12点20分,埃赋隆半导体创新工程师Osman Ceylan将在403室发表一篇关于“宽带大功率放大器用偏置网络的设计和优化(Design and Optimization of Biasing Networks for Wideband High Power Amplifiers)”主题的论文。

(信息收集:电子人才网
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